本文標題："透射電子顯微鏡分析巖石的位錯的分布和密度"

透射電子顯微鏡分析巖石的位錯的分布和密度

    有多種方法可以觀察和研究位錯的分布、位錯的密度、
位錯的方向以及確定位錯的性質(zhì)，主要包括:

    (1)表面法(即浸蝕法):通過化學浸蝕、電浸蝕或熱浸蝕，將暴露于晶體顆粒表面
       的位錯顯示出來。不同類型的位錯，其表現(xiàn)有所差異。
    (2)綴飾法:在透明晶體內(nèi)以沉淀顆粒綴飾位錯，以顯示位錯的位置。
    (3)透射電子顯微鏡分析:用它可以以極高放大倍率研究從0.1-0.4μm厚度樣品
       中的位錯，這是應用最廣泛的一種技術(shù)。
    (4) X射線衍射法:利用X射線散射的局部差異來顯示位錯。
    (5)場離子顯微術(shù):它可以顯示單個原子的位置。
在上述分析方法中，應用透射電子顯微鏡開展的位錯研究最為有效和常用，
廣泛用于觀察位錯及層錯、雙晶、晶界及空洞等其他晶體缺陷。

    透射電子顯微鏡技術(shù)主要是利用襯度技術(shù)獲得位錯等顯微構(gòu)造的圖像，
它可以將各種位錯的形態(tài)類型清楚地顯示出來。
同時，還可以用衍射花樣確定人射電子束及被觀察樣品部分的結(jié)晶學方位

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