本文標(biāo)題："晶片品質(zhì)檢測雙目立體顯微鏡廠商"

幾乎所有的產(chǎn)品都會有記憶體元件在晶片中。

如果 我們沒有記憶體相關(guān)的時序參數(shù)，將會很難對產(chǎn)品下定規(guī)格。傳統(tǒng)上會使用測試
機(jī)臺對記憶體的時序參數(shù)做量測。然而，一些測試機(jī)臺的周邊器材，像是探針以
及與晶片之間連接的傳輸線等等，都會造成一些額外的延遲時間，這會導(dǎo)致量測
結(jié)果的誤差。另外，針對系統(tǒng)晶片(system-on-chip)，我們很難直接存取內(nèi)部記憶
體的輸入輸出訊號。因此我們需要一個內(nèi)嵌式解決方案。

我們提出一種能量測記憶體時序參數(shù)的架構(gòu)。它能夠量測準(zhǔn)備/保持時間 (setup/hold
Time) 以及存取時間(access time)。在準(zhǔn)備/保持時間的量測，我們使用有效訊號
(valid signal)來使輸入訊號只會在有效窗口(valid window)中輸入正確的值。我們
可藉由調(diào)整有效窗口與時脈訊號之間的時序關(guān)系，來量測出準(zhǔn)備/保持時間。在
存取時間量測的部分，我們使用一個時間至數(shù)位轉(zhuǎn)換器

 (time-to-digital converter)。它能夠記錄最差情況的結(jié)果，因此我們能夠跑完完整的測試之后，
最后得到最壞情況的存取時間。我們也針對準(zhǔn)備/保持時間以及存取時間的量測
提出校準(zhǔn)方案(calibration scheme)。這份電路完全是以標(biāo)準(zhǔn)元件所組成，因此很
容易轉(zhuǎn)移到期它制程上。我們以TSMC 0.18um 制程來實現(xiàn)，實驗結(jié)果顯示準(zhǔn)備
時間/保持時間的誤差在2.4% / 7.5%內(nèi)，存取時間的誤差在4.4%以內(nèi)。在使用
4096x64 的記憶體時，僅有6.2%額外面積代價
 

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晶片品質(zhì)檢測雙目立體顯微鏡廠商,金相顯微鏡現(xiàn)貨供應(yīng)

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