本文標(biāo)題："近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡材料礦石直徑3μm深為1.5μm觀察"
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近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡材料礦石直徑3μm深為1.5μm觀察
利用掃描式近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡對(duì)不同樣品做非破壞性檢測(cè)分析。我們用紫外光雷射或綠光雷射耦合入光纖，
使用掃描式近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡觀察圖樣化藍(lán)寶石基板上成長(zhǎng)之氮化鎵薄膜的缺陷。
藍(lán)寶石基板分別為凹、凸直徑3μm深為1.5μm兩種圓形陣列圖樣，
其中GaN薄膜成長(zhǎng)于凹的藍(lán)寶石基板的過程中再隨機(jī)的植入直徑約1μm厚約100nm的SiO2圓形結(jié)構(gòu)。
得到的影像可以發(fā)現(xiàn)SiO2結(jié)構(gòu)上方會(huì)形成良好的GaN薄膜導(dǎo)致有將雷射完全吸收的現(xiàn)象，
并且藍(lán)寶石基板凹洞上方亦可以長(zhǎng)出良好的GaN薄膜；在有凸起狀的藍(lán)寶石基板上長(zhǎng)的GaN，其高低交界處有明顯的缺陷。
此外，我們用紅外光雷射耦合入光纖，并利用光偵測(cè)晶片(900 ~ 1700 nm)改裝成可架入系統(tǒng)中光偵測(cè)器，
進(jìn)而可以得到Ge薄膜在SiO2/Si晶片中的生長(zhǎng)分佈狀況。而矽基板是由電子束微影術(shù)與反應(yīng)性離子蝕刻制作出直徑為200nm、
深20nm的圓洞，圓洞互相間隔距離分別為800nm、1000nm。Ge薄膜厚300nm，最后還附蓋上100nm的SiO2來保護(hù)Ge薄膜。
運(yùn)用掃描式近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡及自制光纖探針配合不同光源跟光偵測(cè)器開發(fā)出可適用檢測(cè)不同能隙材料在不同種類晶片中生長(zhǎng)情形之非破壞性近場(chǎng)量測(cè)
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近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡材料礦石直徑3μm深為1.5μm觀察,金相顯微鏡現(xiàn)貨供應(yīng)
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