本文標(biāo)題："封裝技術(shù)焊接機(jī)械應(yīng)力精細(xì)零件分析顯微鏡"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類: 技術(shù)文章 ------
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封裝技術(shù)焊接機(jī)械應(yīng)力精細(xì)零件分析顯微鏡
對(duì)封裝技術(shù)的要求
現(xiàn)代封裝技術(shù)是開發(fā)高集成系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)。通過(guò)減少結(jié)構(gòu)尺
寸來(lái)增加功能密度的要求已經(jīng)實(shí)現(xiàn)，由此已大大提高了信號(hào)處理的
速度。VLSI(大規(guī)模集成)電路具有的特色是：高的工作頻率，短的
脈沖上升，但同時(shí)也具有高的功率損失并需要大量的外部連接線。
考慮到通訊技術(shù)電路、門陣列、標(biāo)準(zhǔn)單元和微處理器，有較大數(shù)量
的輸入和輸出信號(hào)觸點(diǎn)需要控制。
通過(guò)集成大量的邏輯功能，一個(gè)隔離的集成電路可在一臺(tái)復(fù)雜
設(shè)備的總功能中起著決定性作用，同時(shí)也需要集成電路有高的可靠
性。現(xiàn)代集成電路可以包含有超過(guò)一百萬(wàn)個(gè)晶體管。集成電路的能
耗隨晶體管數(shù)量和工作頻率的增加而提高。盡管每一個(gè)晶體管的能
耗隨著應(yīng)用新技術(shù)而降低，但它仍隨著芯片的增加而增加。在通訊
技術(shù)領(lǐng)域，預(yù)期IC(集成電路)的能耗超過(guò)200W。
芯片的功率損耗導(dǎo)致了溫度升高，這致使芯片失效的幾率呈指
數(shù)上升。因此，必須通過(guò)降低相鄰散熱片的熱導(dǎo)率，使芯片的溫度
保持在較低的水平。芯片失效的另一原因是機(jī)械應(yīng)力。熔焊接頭斷
裂失效的經(jīng)驗(yàn)關(guān)系是：在調(diào)查中，由于溫度循環(huán)造成的失效占50％
，且與電氣接觸應(yīng)力的平方成反比。封裝技術(shù)的重要條件是：用于
連接元件的材料能夠迅速去除任何熱點(diǎn)，組成的各元件的熱膨脹系
數(shù)應(yīng)一致，這樣可使接點(diǎn)處的剪應(yīng)力盡可能小。
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